标题 |
Enhancement-Mode Ga2O3 Vertical Transistors With Breakdown Voltage >1 kV
击穿电压>1 kV的增强型Ga2O3垂直晶体管
相关领域
物理
分析化学(期刊)
化学
有机化学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:IEEE Electron Device Letters 作者:Zongyang Hu; Kazuki Nomoto; Wenshen Li; Nicholas Tanen; Kohei Sasaki; et al 出版日期:2018-04-25 |
求助人 | |
下载 | |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|