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 Design of Mixed-Dimensional QDs/MoS2/TiO2 Heterostructured Resistive Random-Access Memory with Interfacial Analog Switching Characteristics for Potential Neuromorphic Computing 用于潜在神经形态计算的具有界面模拟开关特性的混合维QDs/MoS2/TiO2异质结构电阻随机存储器设计
相关领域
神经形态工程学
电阻随机存取存储器
材料科学
光电子学
量子点
非易失性存储器
图层（电子）
异质结
记忆电阻器
纳米技术
计算机科学
电压
电子工程
电气工程
人工神经网络
机器学习
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期刊：ACS applied electronic materials 作者：Shin‐Yi Tang; Yu‐Chuan Shih; Ying‐Chun Shen; Ruei‐Hong Cyu; Chieh-Ting Chen; et al 出版日期：2024-03-11 |
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