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 The optimized memristor performance by utilizing the constrained domain wall motion in Pt/Co–Tb/Ta structure Pt/Co-Tb/Ta结构中利用约束畴壁运动优化忆阻器性能
相关领域
神经形态工程学
磁畴壁（磁性）
材料科学
自旋电子学
领域（数学分析）
记忆电阻器
人工神经网络
计算机数据存储
凝聚态物理
磁化
计算机科学
光电子学
纳米技术
物理
电子工程
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数学分析
量子力学
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：Bo Zhang; Yunzhuo Wu; Xiaoxue Zeng; Yonghai Guo; Bo Wang; et al 出版日期：2021-06-08 |
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hzauer
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