| 标题 |
 Influence of Dopant Concentration on Dislocation Distributions in 150mm 4H SiC Wafers 掺杂剂浓度对150mm 4H SiC晶片位错分布的影响
相关领域
材料科学
电阻率和电导率
聚结（物理）
位错
薄脆饼
掺杂剂
压扁
晶体生长
GSM演进的增强数据速率
复合材料
凝聚态物理
结晶学
光电子学
兴奋剂
电气工程
电信
天体生物学
物理
工程类
计算机科学
化学
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
Singularity
paparazzi221
HEIKU
寻道图强
星辰大海
iNk
带头大哥
Hayat
yufanhui
从容芮
lch23560
爱静静
熊熊面包
烬余
InfoNinja
pluto
shinysparrow
宜醉宜游宜睡
SinU
Yziii
皖公网安备34019202002308
