Realization of tunable-performance in atomic layer deposited Hf-doped In2O3 thin film transistor via oxygen vacancy modulation

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标题	Realization of tunable-performance in atomic layer deposited Hf-doped In2O3 thin film transistor via oxygen vacancy modulation 氧空位调制在原子层沉积Hf掺杂In2O3薄膜晶体管中实现可调谐性能相关领域材料科学实现（概率）光电子学原子层沉积薄膜晶体管兴奋剂调制（音乐）薄膜晶体管氧气纳米技术图层（电子）化学物理电气工程工程类电压统计数学有机化学声学
网址	https://doi.org/10.1063/5.0188101
DOI	10.1063/5.0188101 doi
其它	期刊：Journal of chemical physics online/The Journal of chemical physics/Journal of chemical physics 作者：Jiyuan Zhu; Huolin Shen; Bojia Chen; Shice Wei; Yu Zhang; et al 出版日期：2024-01-25
求助人	沉静妙之在 2024-05-21 16:49:49 发布自江西，悬赏 10 积分
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