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 Interface analysis of ultrathin SiO2 layers between c‐Si substrates and phosphorus‐doped poly‐Si by theoretical surface potential analysis using the injection‐dependent lifetime 基于注入相关寿命的理论表面电位分析C-Si衬底与磷掺杂多晶硅之间超薄SiO2层的界面
相关领域
钝化
材料科学
多晶硅
硅
兴奋剂
薄脆饼
氧化物
载流子寿命
掺杂剂
太阳能电池
晶体硅
光电子学
氧化硅
分析化学（期刊）
图层（电子）
纳米技术
化学
冶金
薄膜晶体管
氮化硅
色谱法
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| 其它 |
期刊：Progress in Photovoltaics Research and Applications 作者：Sung‐Jin Choi; Ji-Min Baek; Taejun Kim; Kwan Hong Min; Myeong Sang Jeong; et al 出版日期：2020-11-09 |
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