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 Performance trade-offs in polysilicon source-gated transistors 多晶硅源极栅极晶体管的性能权衡
相关领域
材料科学
多晶硅耗尽效应
晶体管
光电子学
肖特基势垒
制作
兴奋剂
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薄膜晶体管
肖特基二极管
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期刊：Solid-State Electronics 作者：Radu A. Sporea; M. J. Trainor; N. D. Young; Xiaojun Guo; J. M. Shannon; et al 出版日期：2011-07-22 |
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