High endurance (&gt;1012) via optimized polarization switching ratio for Hf0.5Zr0.5O2-based FeRAM

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标题	High endurance (&gt;1012) via optimized polarization switching ratio for Hf0.5Zr0.5O2-based FeRAM Hf0.5Zr 0.5 O2基FeRAM通过优化偏振开关比实现高耐久性（>1012）相关领域铁电性铁电RAM 材料科学极化（电化学）光电子学电压随机存取存储器电气工程计算机科学电介质化学物理化学计算机硬件工程类
网址	https://doi.org/10.1063/5.0131355
DOI	10.1063/5.0131355 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Jiachen Li; He Wang; Xinzhe Du; Luo Zhi; Yuchen Wang; et al 出版日期：2023-02-20
求助人	YiAn-horizon 在 2024-10-07 21:57:07 发布自山东，悬赏 10 积分
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