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标题
Correlation between etch pits formed by molten KOH+Na2O2 etching and dislocation types in heavily doped n+-4H–SiC studied by X-ray topography
用X射线形貌研究熔融KOH+Na2O2刻蚀形成的刻蚀坑与重掺杂n+-4H-SiC中位错类型的相关性
相关领域
蚀刻(微加工) 位错 材料科学 兴奋剂 结晶学 线程(蛋白质序列) GSM演进的增强数据速率 X射线 腐蚀坑密度 矿物学 复合材料 化学 光学 光电子学 物理 计算机科学 图层(电子) 电信 生物化学 蛋白质结构
网址
DOI
10.1016/j.jcrysgro.2012.12.011 doi
求助人
太叔开山 在 2025-02-07 20:03:58 发布自四川,悬赏 10 积分
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