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 Enhanced physical and electrical properties of HfO2 deposited by atomic layer deposition using a novel precursor with improved thermal stability 用改进热稳定性的新型前驱体增强原子层沉积HfO2的物理和电学性能
相关领域
原子层沉积
材料科学
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电容器
化学工程
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分析化学（期刊）
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有机化学
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化学
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期刊：Surfaces and Interfaces 作者：Seungwon Lee; Hyun-Chang Kim; Ji‐Hoon Ahn 出版日期：2023-11-01 |
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