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标题
An analytical subthreshold I–V model of SiC MOSFETs
SiCMOS亚阈值I-V分析模型
相关领域
阈下传导 MOSFET 阈值电压 平面的 阈下斜率 晶体管 短通道效应 材料科学 电子工程 电压 电气工程 工程类 计算机科学 计算机图形学（图像）
网址
https://doi.org/10.1016/j.mejo.2024.106138
DOI
10.1016/j.mejo.2024.106138 doi
其它 期刊：Microelectronics Journal
作者：Yi Li; Tao Zhou; Geng Jiang; Liangbin Deng; Zixuan Guo; et al
出版日期：2024-02-26
求助人
kerio 在 2025-03-20 20:54:42 发布自重庆，悬赏 10 积分
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