19.1: Efficiency Enhancement of Indium Phosphide (InP) Based Quantum Dot Light-Emitting Diodes by Shell Thickness Tuning

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标题	19.1: Efficiency Enhancement of Indium Phosphide (InP) Based Quantum Dot Light-Emitting Diodes by Shell Thickness Tuning 19.1：通过壳层厚度调节提高磷化铟（InP）基量子点发光二极管的效率相关领域磷化铟发光二极管量子点光电子学材料科学铟二极管壳体（结构）砷化镓复合材料
网址	http://dx.doi.org/10.1002/j.2168-0159.2013.tb06180.x
DOI	10.1002/j.2168-0159.2013.tb06180.x doi
求助人	冷傲书萱在 2023-10-30 15:16:55 发布自河南，悬赏 10 积分
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