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 High RF Performance AlGaN/GaN HEMTs on 6 inch Si Substrate for Low Voltage Applications 用于低压应用的6英寸Si衬底上的高射频性能AlGaN/GaN HEMT
相关领域
光电子学
材料科学
氮化镓
基质（水族馆）
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期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yuxi Zhou; Jiejie Zhu; Bowen Zhang; Qiyu Wang; Lingjie Qin; et al 出版日期：2025-01-01 |
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