Effect of indium doping level on certain physical properties of CdS films deposited using an improved SILAR technique

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标题	Effect of indium doping level on certain physical properties of CdS films deposited using an improved SILAR technique 铟掺杂水平对改进SILAR沉积CdS薄膜某些物理性质的影响相关领域铟微晶材料科学兴奋剂化学计量学光致发光吸附分析化学（期刊）薄膜化学工程纳米技术化学光电子学物理化学冶金色谱法工程类
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2013.01.045
DOI	10.1016/j.apsusc.2013.01.045 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：K. Ravichandran; V. Senthamilselvi 出版日期：2013-01-16
求助人	zzaz 在 2024-10-11 10:50:40 发布自福建，悬赏 10 积分
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