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 Effect of indium doping level on certain physical properties of CdS films deposited using an improved SILAR technique 铟掺杂水平对改进SILAR沉积CdS薄膜某些物理性质的影响
相关领域
铟
微晶
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期刊：Applied Surface Science 作者：K. Ravichandran; V. Senthamilselvi 出版日期：2013-01-16 |
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