Gate Stack Engineering in MoS 2 Field‐Effect Transistor for Reduced Channel Doping and Hysteresis Effect

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标题	Gate Stack Engineering in MoS 2 Field‐Effect Transistor for Reduced Channel Doping and Hysteresis Effect 用于减少沟道掺杂和磁滞效应的MoS2场效应晶体管栅极堆叠工程相关领域材料科学兴奋剂场效应晶体管光电子学晶体管堆栈（抽象数据类型）电介质磁滞栅极电介质金属浇口频道（广播）图层（电子）纳米技术工程物理栅氧化层电气工程电压计算机科学凝聚态物理工程类物理程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1002/aelm.202000395
DOI	10.1002/aelm.202000395 doi
其它	期刊：Advanced electronic materials 作者：Yaochen Sheng; Michael B. McElroy; Fuyou Liao; Yin Wang; Jingyi Ma; et al 出版日期：2021-07-01
求助人	披着狼皮的哈士奇在 2024-12-10 18:42:14 发布自上海，悬赏 10 积分
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