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Crystallinity‐Controlled Hexagonal Boron Nitride‐Based Memristors for Fully Integrated Reservoir Computing Processors
用于全集成储层计算处理器的结晶度受控六方氮化硼基忆阻器
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材料科学
记忆电阻器
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期刊:Advanced Materials 作者:Wonbae Ahn; Sejin Lee; Jungyeop Oh; Hyeonji Lee; Sung‐Yool Choi 出版日期:2024-12-01 |
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