Radical, ion, and photon’s effects on defect generation at SiO2/Si interface during plasma etching

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标题	Radical, ion, and photon’s effects on defect generation at SiO2/Si interface during plasma etching 等离子体刻蚀过程中自由基、离子和光子对SiO2/Si界面缺陷产生的影响相关领域蚀刻（微加工）等离子体离子等离子体刻蚀反应离子刻蚀光子材料科学接口（物质）硅光电子学化学纳米技术复合材料物理光学核物理学有机化学图层（电子）毛细管数毛细管作用
网址	https://doi.org/10.1016/j.apsusc.2024.160764
DOI	10.1016/j.apsusc.2024.160764 doi
其它	期刊：Applied Surface Science 作者：Shota Nunomura; Takayoshi Tsutsumi; Noriharu Takada; Masanaga Fukasawa; Masaru Hori 出版日期：2024-07-18
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