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 Metal-induced gap states and Schottky barrier heights at nonreactive GaN/noble-metal interfaces 非反应GaN/贵金属界面的金属诱导间隙态和肖特基势垒高度
相关领域
肖特基势垒
材料科学
半导体
带隙
凝聚态物理
金属
宽禁带半导体
阻挡层
肖特基二极管
态密度
密度泛函理论
光电子学
图层（电子）
费米能级
化学
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二极管
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期刊：Physical Review B 作者：Silvia Picozzi; Alessandra Continenza; G. Satta; Sandro Massidda; Arthur J Freeman 出版日期：2000-06-15 |
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