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标题
High-performance normally-off recessed tri-gate GaN MIS-FETs in micrometer scale
微米级高性能常关凹入式三栅极GaN MIS-FET
相关领域
材料科学 光电子学 晶体管 场效应晶体管 四甲基氢氧化铵 退火（玻璃） 制作 阈值电压 栅氧化层 纳米技术 电压 电气工程 病理 工程类 复合材料 医学 替代医学
网址
https://doi.org/10.1088/1361-6641/ac38bc
DOI
10.1088/1361-6641/ac38bc doi
其它 期刊：Semiconductor Science and Technology
作者：Chia‐Jung Tsai; Xin-Rong You; Meng-Hsuan Tsai; Yue‐Ming Hsin
出版日期：2021-11-11
求助人
英勇冥王星 在 2025-01-07 16:29:26 发布自江苏，悬赏 10 积分
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