Band Gap Engineering of Boron Nitride by Graphene and Its Application as Positive Electrode Material in Asymmetric Supercapacitor Device

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标题	[求助补充材料] Band Gap Engineering of Boron Nitride by Graphene and Its Application as Positive Electrode Material in Asymmetric Supercapacitor Device 石墨烯氮化硼带隙工程及其在非对称超级电容器器件中的应用相关领域材料科学石墨烯超级电容器复合数电极氧化物电容电解质氮化硼纳米技术化学工程复合材料工程类物理化学化学冶金
网址	https://doi.org/10.1021/acsami.5b03562
DOI	10.1021/acsami.5b03562 doi
其它	期刊：ACS Applied Materials & Interfaces 作者：Sanjit Saha; Milan Jana; Partha Khanra; Pranab Samanta; Hyeyoung Koo; et al 出版日期：2015-06-23
求助人	闪闪含巧在 2024-03-15 23:12:04 发布自黑龙江，悬赏 20 积分
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