Characterization of Titanium Silicide (TiSi[sub 2]) for Complementary Metal Oxide Semiconductor

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标题	Characterization of Titanium Silicide (TiSi[sub 2]) for Complementary Metal Oxide Semiconductor 用于互补金属氧化物半导体的硅化钛(TiSi[sub 2])的表征相关领域材料科学表征（材料科学）钛硅化物金属光电子学冶金硅纳米技术
网址	http://dx.doi.org/10.1063/1.3295615
DOI	10.1063/1.3295615 doi
求助人	fyt723175249 在 2024-10-22 08:20:23 发布自浙江，悬赏 10 积分
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