标题 |
Impact of AlScN Gate Dielectric on Electrical Properties of AlScN/AlGaN/GaN Ferroelectric HEMTs
AlScN栅介质对AlScN/AlGaN/GaN铁电HEMT电性能的影响
相关领域
材料科学
电介质
铁电性
光电子学
宽禁带半导体
工程物理
电气工程
工程类
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期刊:2024 IEEE 19th International Conference on Nano/Micro Engineered and Molecular Systems (NEMS) 作者:Yuxi Liu; Zexing Ding; Guoming Zhang; Qingnan Qian; Qunhui Zhou; et al 出版日期:2024-08-27 |
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