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 Performance improvement with non-alloyed ohmic contacts technology on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors on 6H-SiC substrate 非合金欧姆接触技术对6H-SiC衬底AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管性能的改善
相关领域
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期刊：Microelectronic Engineering 作者：Marie Lesecq; Yassine Fouzi; Ali Abboud; Nicolas Defrance; F. Vaurette; et al 出版日期：2023-04-08 |
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