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 InGaZnO thin-film transistors with back channel modification by organic self-assembled monolayers 有机自组装单层背沟道修饰InGaZnO薄膜晶体管
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单层
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Peng Xiao; Linfeng Lan; Ting Dong; Zhenguo Lin; Wen Shi; et al 出版日期：2014-02-03 |
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