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 Mg activation anneal of the p-GaN body in trench gate MOSFETs and its effect on channel mobility and threshold voltage stability 沟槽栅MOSFET中p-GaN体的Mg活化退火及其对沟道迁移率和阈值电压稳定性的影响
相关领域
阈值电压
电子迁移率
材料科学
接受者
退火（玻璃）
光电子学
散射
跨导
负偏压温度不稳定性
分析化学（期刊）
电压
化学
凝聚态物理
晶体管
电气工程
光学
复合材料
工程类
物理
色谱法
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Walter Gonçalez Filho; Matteo Borga; Karen Geens; Md Arif Khan; Deepthi Cingu; et al 出版日期：2024-03-11 |
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