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 Effect of SiO2 intermediate layer on Al2O3/SiO2/n+-poly Si interface deposited using atomic layer deposition (ALD) for deep submicron device applications SiO2中间层对深亚微米器件原子层沉积Al2O3/SiO2/n+-poly Si界面的影响
相关领域
材料科学
原子层沉积
图层（电子）
电容器
兴奋剂
电容
氧化物
电介质
光电子学
缓冲氧化物腐蚀
硅
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分析化学（期刊）
纳米技术
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期刊：Surface and Coatings Technology 作者：Won Suk Yang; Yeong Kwan Kim; Seung-Yeal Yang; Jin Hwak Choi; Heung Soo Park; et al 出版日期：2000-09-01 |
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