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 Third quadrant overvoltage ruggedness of p-gate GaN HEMTs p栅极GaN HEMT的第三象限过电压鲁棒性
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Lifeng Yuan; Feng Zhou; Yulei Jin; Qunsi Yang; Weizong Xu; et al 出版日期：2022-07-27 |
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