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 Optimizing breakdown voltage and on-state resistance by modulating the barrier height along 2DEG channel for power p-GaN HEMTs 通过调制功率p-GaN HEMT沿2DEG沟道的势垒高度来优化击穿电压和导通电阻
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期刊：Semiconductor Science and Technology 作者：Yajie Xin; Wanjun Chen; Ruize Sun; Chao Liu; Yun Xia; et al 出版日期：2022-10-24 |
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