标题 |
A Brief Overview of the Rapid Progress and Proposed Improvements in Gallium Nitride Epitaxy and Process for Third-Generation Semiconductors with Wide Bandgap
第三代宽带隙半导体氮化镓外延及工艺的快速进展和改进
相关领域
光电子学
材料科学
外延
氮化镓
高电子迁移率晶体管
金属有机气相外延
化学气相沉积
超晶格
半导体
兴奋剂
基质(水族馆)
晶体管
纳米技术
电子工程
电气工程
电压
图层(电子)
工程类
海洋学
地质学
|
网址 | |
DOI | |
其它 |
期刊:Micromachines 作者:An-Chen Liu; Yung‐Yu Lai; Hsin-Chu Chen; An-Ping Chiu; Hao‐Chung Kuo 出版日期:2023-03-29 |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|