Device Design and Electron Transport Properties of Uniaxially Strained-SOI Tri-Gate nMOSFETs

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标题	Device Design and Electron Transport Properties of Uniaxially Strained-SOI Tri-Gate nMOSFETs 单轴应变绝缘三栅nMOS器件设计和电子输运特性相关领域材料科学绝缘体上的硅应变工程 MOSFET 应变硅电子迁移率薄脆饼光电子学电子各向异性硅电气工程晶体管电压晶体硅光学工程类量子力学物理非晶硅
网址	http://dx.doi.org/10.1109/ted.2007.913082
DOI	10.1109/ted.2007.913082 doi
求助人	虚心醉蝶在 2024-09-12 17:40:28 发布自陕西，悬赏 10 积分
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