| 标题 |
 Inkjet-printed WS2 and MoSe2 transistors with edge-FET architecture and near-vertical electronic transport 具有边缘场效应管结构和近垂直电子输运的喷墨印刷WS2和MoSe2晶体管
相关领域
晶体管
材料科学
薄膜晶体管
光电子学
GSM演进的增强数据速率
数码产品
半导体
电容
柔性电子器件
电子迁移率
印刷电子产品
纳米技术
电气工程
计算机科学
电极
电信
物理
工程类
图层（电子）
量子力学
电压
|
| 网址 | |
| DOI | |
| 其它 |
期刊： 作者：Sandeep Kumar Mondal; Subho Dasgupta 出版日期：2022-12-11 |
| 求助人 | |
| 下载 | 求助已完成，仅限求助人下载。 |
|
温馨提示：该文献已被科研通 学术中心 收录，前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库，收集文献的基本信息（如标题、摘要、期刊、作者、被引量等），不提供下载功能。如需下载文献全文，请通过文献求助获取。
|
不配.
8R60d8
良辰
爱静静
芝士球球
杳鸢
随机子
Frank
嗯哼
彭于彦祖
Yziii
rosalieshi
加菲丰丰
xiaojcom
寻道图强
Leonardi
从容芮
浅惜
sissiarno
tuanheqi
皖公网安备34019202002308
