| 标题 |
 High-breakdown-voltage (>3000 V) and low-power-dissipation Al0.3Ga0.7N/GaN/Al0.1Ga0.9N double-heterostructure HEMTs with Ohmic/Schottky hybrid drains and Al2O3/SiO2 passivation 高击穿电压（>3000 V）和低功耗Al0.3 Ga 0.7 n/GaN/Al0.1Ga 0.9 n双异质结构HEMT，具有欧姆/肖特基混合漏极和Al2O3/SiO2钝化
相关领域
欧姆接触
钝化
材料科学
光电子学
异质结
消散
肖特基二极管
击穿电压
电压
电气工程
复合材料
物理
工程类
图层（电子）
二极管
热力学
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| 其它 |
期刊：Science China Information Sciences 作者：Yu Fan; Xi Liu; Ren Tsung Huang; Yintang Wen; Weihang Zhang; et al 出版日期：2023-10-07 |
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