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 Experimental characterization of impact ionization coefficients for electrons and holes in GaN grown on bulk GaN substrates 生长在体GaN衬底上的GaN中电子和空穴碰撞电离系数的实验表征
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Lina Cao; Jingshan Wang; Galen Harden; Hansheng Ye; Roy A. Stillwell; et al 出版日期：2018-06-25 |
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