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 Effect of cerium impurity on the stable growth of the 4H-SiC polytype by the physical vapour transport method 铈对物理气相输运法稳定生长4H-SiC多型材料的影响
相关领域
杂质
铈
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：K. Racka-Szmidt; E. Tymicki; M. Raczkiewicz; Jarosław Sar; Tomasz Wejrzanowski; et al 出版日期：2022-05-01 |
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