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Device Engineering of Dual Metal Gate-Based Artificial Synapse for Enhanced Plasticity Utilizing Al₂O₃-Based Ion Conducting Electrolyte
利用Al₂O₃基离子导电电解质增强可塑性的双金属栅极人工突触的器件工程
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期刊:I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者:Reetwik Bhadra; Ramesh Kumar; Amitesh Kumar 出版日期:2024-04-01 |
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