Device Engineering of Dual Metal Gate-Based Artificial Synapse for Enhanced Plasticity Utilizing Al₂O₃-Based Ion Conducting Electrolyte

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标题	Device Engineering of Dual Metal Gate-Based Artificial Synapse for Enhanced Plasticity Utilizing Al₂O₃-Based Ion Conducting Electrolyte 利用Al₂O₃基离子导电电解质增强可塑性的双金属栅极人工突触的器件工程相关领域电解质对偶（语法数字）材料科学突触可塑性纳米技术离子金属光电子学化学复合材料电极冶金神经科学心理学物理化学艺术文学类有机化学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2024.3367663
DOI	10.1109/ted.2024.3367663 doi
其它	期刊：I.E.E.E. transactions on electron devices/IEEE transactions on electron devices 作者：Reetwik Bhadra; Ramesh Kumar; Amitesh Kumar 出版日期：2024-04-01
求助人	道栀在 2024-07-13 09:35:58 发布自江苏，悬赏 10 积分
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