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 Nanosized-Metal-Grain-Induced Characteristic Fluctuation in 16 nm Complementary Metal–Oxide–Semiconductor Devices and Digital Circuits 16nm互补金属氧化物半导体器件和数字电路中纳米金属晶粒诱导的特性涨落
相关领域
MOSFET
材料科学
逆变器
晶体管
电子线路
CMOS芯片
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光电子学
金属
场效应晶体管
金属浇口
电压
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电气工程
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冶金
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期刊：Japanese journal of applied physics 作者：Yiming Li; Hui Cheng 出版日期：2011-04-01 |
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