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 Low-Leakage High-Breakdown Laterally Integrated HEMT-LED via n-GaN Electrode 低泄漏高击穿横向集成HEMT-LED通孔n-GaN电极
相关领域
高电子迁移率晶体管
击穿电压
光电子学
发光二极管
外延
材料科学
氮化镓
二极管
晶体管
电极
电气工程
电压
物理
纳米技术
工程类
量子力学
图层（电子）
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| 其它 |
期刊：IEEE Photonics Technology Letters 作者：Chao Liu; Yuefei Cai; Xinbo Zou; A. C. Gossard 出版日期：2016-05-15 |
| 求助人 | |
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