25-GHz-band High Efficiency Stacked-FET Power Amplifier IC with Adaptively Controlled Gate Capacitor in 45-nm SOI CMOS

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标题	25-GHz-band High Efficiency Stacked-FET Power Amplifier IC with Adaptively Controlled Gate Capacitor in 45-nm SOI CMOS 45nm SOI CMOS中具有自适应控制栅极电容25 GHz频段高效率堆叠FET功率放大器IC 相关领域材料科学 CMOS芯片光电子学电气工程电容器放大器功率增加效率绝缘体上的硅线性电压射频功率放大器工程类硅
网址	https://doi.org/10.1109/pawr53092.2022.9719847
DOI	10.1109/pawr53092.2022.9719847 doi
其它	期刊：作者：Tsuyoshi Sugiura; Toshihiko Yoshimasu 出版日期：2022-01-16
求助人	研友_LMNjkn 在 2023-07-11 11:37:13 发布自四川，悬赏 10 积分
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