A study of narrow transistor layout proximity effects for 28nm Poly/SiON logic technology

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标题	A study of narrow transistor layout proximity effects for 28nm Poly/SiON logic technology 28nm Poly/SiON逻辑技术中窄管布局邻近效应的研究相关领域晶体管 CMOS芯片材料科学逻辑门光电子学缩放比例电气工程工程类数学电压几何学
网址	https://doi.org/10.1109/cstic.2016.7463897
DOI	10.1109/cstic.2016.7463897 doi
其它	期刊：作者：Ruoyuan Li; Hangbin Wu 出版日期：2016-03-01
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