Repair of H+ Implantation Induced Defects in SiC Single Crystal Film Fabricated by Crystal-Ion-Slicing Technique - 科研通

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标题	Repair of H+ Implantation Induced Defects in SiC Single Crystal Film Fabricated by Crystal-Ion-Slicing Technique 晶体离子切片技术制备SiC单晶薄膜中H+注入缺陷的修复相关领域切片材料科学离子注入 Crystal（编程语言）离子光电子学单晶碳化硅结晶学复合材料计算机科学物理化学计算机图形学（图像）量子力学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.1109/icicm63644.2024.10814513
DOI	10.1109/icicm63644.2024.10814513 doi
其它	期刊：2022 7th International Conference on Integrated Circuits and Microsystems (ICICM) 作者：Dailei Zhu; Wenbo Luo; Sijie Yang; Yao Shuai; Chuangui Wu; et al 出版日期：2024-10-25
求助人	leon 在 2025-03-11 14:33:10 发布自北京，悬赏 10 积分
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