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 Up to 57% Reduction in Effective Resistivity of Word Lines of 3D-NAND Memory by Grain-Size Control, Material Selection, and Seam Removal 通过晶粒尺寸控制、材料选择和接缝去除，3D-NAND存储器字线的有效电阻率降低高达57%
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期刊：2022 IEEE Symposium on VLSI Technology and Circuits (VLSI Technology and Circuits) 作者：Hidetsugu Terada; Kazuya Yamaguchi; Takashi Yokoi; Toshiyuki Sameshima; Kengo Suzuki; et al 出版日期：2024-06-16 |
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