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Silicon‐Compatible Ferroelectric Tunnel Junctions with a SiO2/Hf0.5Zr0.5O2 Composite Barrier as Low‐Voltage and Ultra‐High‐Speed Memristors
具有SiO2/Hf0.5Zr0.5O2复合势垒的硅相容铁电隧道结作为低压和超高速忆阻器
相关领域
材料科学
硅
复合数
电压
光电子学
铁电性
纳米技术
电气工程
复合材料
电介质
工程类
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期刊:Advanced Materials 作者:He Wang; Zeyu Guan; Jiachen Li; Zhen Luo; Xinzhe Du; et al 出版日期:2024-01-31 |
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