Photoluminescence study of semipolar {101¯1} InGaN∕GaN multiple quantum wells grown by selective area epitaxy

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标题	Photoluminescence study of semipolar {101¯1} InGaN∕GaN multiple quantum wells grown by selective area epitaxy 半极性{101′1}InGaN/GaN多量子阱的光致发光研究相关领域光致发光材料科学光电子学量子阱外延宽禁带半导体氮化物电场极化（电化学）量子效率异质结光学纳米技术化学物理激光器图层（电子）物理化学量子力学
网址	https://doi.org/10.1063/1.2720302
DOI	10.1063/1.2720302 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Hongbo Yu; L. K. Lee; Taeil Jung; C. C. Kuo 出版日期：2007-04-02
求助人	甜美的秋尽在 2025-02-01 22:15:51 发布自美国，悬赏 10 积分
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