A new growth method of roughed p-GaN in GaN-based light emitting diodes

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标题	A new growth method of roughed p-GaN in GaN-based light emitting diodes 一种新的生长方法在GaN基发光二极管中粗化p-Gap 相关领域材料科学光通量光电子学发光二极管二极管氮化镓外延发光效率图层（电子） Crystal（编程语言）增长率宽禁带半导体表面粗糙度通量法光学单晶纳米技术复合材料结晶学光源化学物理几何学数学计算机科学程序设计语言
网址	https://doi.org/10.7498/aps.60.098107
DOI	10.7498/aps.60.098107 doi
其它	期刊：Chinese Physics 作者：李水清 Li Shuiqing; Lai Wang; Yanjun Han; Yi Luo; Deng He-Qing; et al 出版日期：2011-01-01
求助人	dd 在 2024-11-18 14:53:15 发布自云南，悬赏 10 积分
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