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 Trapping phenomena in AlGaN/GaN HEMTs: a study based on pulsed and transient measurements AlGaN/GaN HEMTs中的俘获现象：基于脉冲和瞬态测量的研究
相关领域
跨导
俘获
光电子学
材料科学
瞬态（计算机编程）
高电子迁移率晶体管
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电压
晶体管
电气工程
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生态学
经济
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生物
计算机科学
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期刊：Semiconductor science and technology 作者：G. Meneghesso; Matteo Meneghini; Davide Bisi; Isabella Rossetto; A. Cester; et al 出版日期：2013-06-21 |
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