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 Achieving $\ge$1200-V High-Performance GaN HEMTs on Sapphire With Carbon-Doped Buffer 使用碳掺杂缓冲器在蓝宝石上实现$\ge$1200-V高性能GaN HEMT
相关领域
蓝宝石
缓冲器（光纤）
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兴奋剂
光电子学
宽禁带半导体
碳纤维
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期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Zhibo Cheng; Xiangdong Li; Long Chen; Lezhi Wang; Zilan Li; et al 出版日期：2024-01-01 |
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