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Pinch-off driven near-ideal output characteristics of n-Ga2O3/p-GaN light effect transistor for UV photonics
紫外光学用n-Ga2O3/p-GaN光效应晶体管的夹断驱动近理想输出特性
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Arnab Mandal; Manoj K. Yadav; Arpit Nandi; Shiv Kumar; Indraneel Sanyal; et al 出版日期:2024-07-08 |
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