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Fabrication and characterization of modulation-doped β-(AlxGa1−x)2O3/Ga2O3 tri-metal FET utilizing ultra-high vacuum deposition based on plasma-assisted molecular beam epitaxy
基于等离子体辅助分子束外延的超高真空沉积调制掺杂β-(AlxGa1-x)2O3/Ga2O3三金属FET的制备与表征
相关领域
材料科学
分子束外延
制作
兴奋剂
光电子学
表征(材料科学)
沉积(地质)
等离子体
调制(音乐)
外延
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生物
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期刊:Journal of Materials Science: Materials in Electronics 作者:V. N. Senthil Kumaran; M. Venkatesh; Azath Mubarakali; Abdulrahman Saad Alqahtani; P. Parthasarathy 出版日期:2024-09-01 |
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