Comprehensive TCAD-Based Validation of Interface Trap-Assisted Ferroelectric Polarization in Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistor Memory

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标题	Comprehensive TCAD-Based Validation of Interface Trap-Assisted Ferroelectric Polarization in Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistor Memory 铁电门场效应晶体管存储器中界面陷阱辅助铁电极化的全面TCAD验证相关领域铁电性铁电电容器材料科学光电子学极化（电化学）电容器俘获晶体管场效应晶体管非易失性存储器电压电介质电气工程化学工程类物理化学生物生态学
网址	https://doi.org/10.1109/ted.2022.3144965
DOI	10.1109/ted.2022.3144965 doi
其它	期刊：IEEE Transactions on Electron Devices 作者：Kitae Lee; Sihyun Kim; Munhyeon Kim; Jong‐Ho Lee; Daewoong Kwon; et al 出版日期：2022-03-01
求助人	李沐唅在 2024-12-23 17:02:23 发布自贵州，悬赏 10 积分
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