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 Gamma-Ray Irradiation Induced Dielectric Loss of SiO2/Si Heterostructures in Through-Silicon Vias (TSVs) by Forming Border Traps 伽马射线辐照通过形成边界陷阱诱导硅通孔中SiO2/Si异质结构的介电损耗
相关领域
辐照
材料科学
电介质
光电子学
介电损耗
硅
异质结
辐射
半导体
抵抗
纳米技术
图层（电子）
光学
物理
核物理学
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| 其它 |
期刊：ACS Applied Electronic Materials 作者：Guanghui Zhang; Zeng-hui Yang; Xiaoshi Li; Shuairong Deng; Yang Liu; et al 出版日期：2024-01-29 |
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